ព័ត៌មាន

ក្រុមហ៊ុនបច្ចេកវិទ្យា Samsung ចាប់ផ្តើមការផលិតទ្រង់ទ្រាយធំទៅលើ V-NAND Flash Memory ជំនាន់ទី 5

ក្រុមហ៊ុន Samsung គឺឈានមុខគេនៅក្នុងការផលិតម៉េមូរីអស់រយៈពេលជាច្រើនឆ្នាំមកហើយ នៅថ្ងៃនេះក្រុមហ៊ុនប្រកាសថាខ្លួនចាប់ផ្តើមធ្វើការផលិតទៅលើម៉េមូរី V-NAND memory chips ជំនាន់បន្ទាប់របស់ខ្លួនគឺជាជំនាន់ទី5 ហើយវាក៏មានការប្រើប្រាស់នូវ “Toggle DDR 4.0” NAND interface ផងដែរ។

 image

image

បន្ទះឈីបថ្មីនេះមានល្បឿនលឿនជាងមុនដល់ទៅ 40% សម្រាប់ការបញ្ជូនទិន្នន័យដែលមានល្បឿនដល់ទៅ  1.4Gbps ។ សម្រាប់ម៉េមូរី 5th-gen V-NAND chips នេះប្រើប្រាស់នូវ  90 layers របស់ 3D charge trap flash (CTF) cells ។ សម្រាប់ល្បឿននៃការ Write គឺលឿនជាងមុនដល់ទៅ 30% ផងដែរ។ បន្ទះឈីបនេះប្រហែលជាប្រើប្រាស់នៅលើស្មាតហ្វូនកម្រិតខ្ពស់របស់ក្រុមហ៊ុន Samsung ៕