ក្រុមហ៊ុន Samsung កំពុងស្ថិតនៅលើផ្លូវថ្មីមួយនៅទីនេះ។ បន្ទាប់ពីការចាប់ផ្តើមផលិតបន្ទះឈីប 512GB eUFS 3.0 memory chips បច្ចុប្បន្ននេះ ក្រុមហ៊ុនកំពុងចាប់ផ្តើមផលិតនូវ 12GB DRAM modulesសម្រាប់ការប្រើប្រាស់នៅក្នុងស្មាតហ្វូនជាច្រើន។

បន្ទះឈីបទាំងនេះផ្អែកលើស្តង់ដារ LPDDR4X និងប្រើដំណើរការផលិត 10nm (1y -nm) កម្រិតខ្ពស់ដែលចាប់ផ្តើមចាប់តាំងពីឆ្នាំមុនម្ល៉េះ។ ក្រុមហ៊ុន Samsung សម្រេចបាននូវចំណុចនេះតាមរយៈការដាក់បន្ទះសៀគ្វី 16-gigabit LPDDR4X chips  ចំនួន 6 ចូលទៅក្នុងកញ្ចប់តូចមួយដែលប្រើប្រាស់ថាមពលតិចជាងមុន។

បើនិយាយអំពីកម្លាំងម៉ាស៊ីនវិញនោះ កញ្ចប់នេះអាចធ្វើការបញ្ជូនទិន្នន័យបានដល់ទៅ 34.1 GB/s data transfer ជាមួយនឹងការប្រើប្រាស់ថាមពលទាបដោយសារតែការបង្កើនសមត្ថភាពទៅលើ DRAM នោះ៕